双极性脉冲磁控溅射电源是基于新一代磁控溅射技术,在极富经验的沉积专家努力下,设计出在等离子工艺开发和薄膜沉积方面拥有初设的追索性能,以生成稳健且可重复的 HiPIMS 工艺。
双极性脉冲磁控溅射源
主要特设
固有离子加速功能
双极性电源实现离子加速,无需附加基板偏置
极强的稳定性和鲁棒性
特有的放电过程控制,具有恒定的电压以及干净的波形(无振荡)
支持外部触发
支持外部触发控制,可通过主从配置,实现多台级联使用
与直流电源松耦合
双极性的Biploar Hipster可以匹配任意的前级直流电源(正负DC直流源各一台),也可以匹配Ionautics的专用直流电源。
反应过程控制
“反应过程控制”选件,可以帮助过渡模式的稳定运行,对保持化学计量组成的反应气流具有较大的容忍。
双极性脉冲源主要参数
HiPSTER 输出
平均功率:1000W
峰值电流:100A
调整模式:电压、电流、功率、脉冲电流
脉冲频率:50 – 10 KHz (外部触发时,重复频率范围更宽)
起弧控制:< 2 us 反应时间
峰值电流:100A
调整模式:电压、电流、功率、脉冲电流
脉冲频率:50 – 10 KHz (外部触发时,重复频率范围更宽)
起弧控制:< 2 us 反应时间
负脉冲指标
输出峰值电压:1000 V
输出峰值电流:100 A
输出脉冲宽度:3 us ~ 1000 us
输出峰值电流:100 A
输出脉冲宽度:3 us ~ 1000 us
Hipster尺寸
19寸机箱(3U)
135 mm (H) x 483 mm (W) x 390mm (D)
净重:16 KG
135 mm (H) x 483 mm (W) x 390mm (D)
净重:16 KG
HiPSTER 输入
供电电源:单相,100-240 VAC,50/60 Hz
功耗:230V@0.3A
直流充电输入:1000V(max)
触发输入:5V CMOS
远程通信:RS-232
功耗:230V@0.3A
直流充电输入:1000V(max)
触发输入:5V CMOS
远程通信:RS-232
正脉冲指标
输出峰值电压:300 V
输出脉冲宽度:1.5 us ~ 500 us
输出脉冲延迟:1.5 us ~ 500 us(基于负脉冲结束)
输出脉冲宽度:1.5 us ~ 500 us
输出脉冲延迟:1.5 us ~ 500 us(基于负脉冲结束)
HiPSTER 输出
平均功率:6000W
峰值电流:1000A
调整模式:电压、电流、功率、脉冲电流
脉冲频率:50 – 10 KHz (外部触发时,重复频率范围更宽)
起弧控制:< 2 us 反应时间
峰值电流:1000A
调整模式:电压、电流、功率、脉冲电流
脉冲频率:50 – 10 KHz (外部触发时,重复频率范围更宽)
起弧控制:< 2 us 反应时间
负脉冲指标
输出峰值电压:1000 V
输出峰值电流:600 A
输出脉冲宽度:3.5 us ~ 1000 us
输出峰值电流:600 A
输出脉冲宽度:3.5 us ~ 1000 us
Hipster尺寸
19寸机箱(3U)
135 mm (H) x 483 mm (W) x 390mm (D)
净重:16 KG
135 mm (H) x 483 mm (W) x 390mm (D)
净重:16 KG
HiPSTER 输入
供电电源:单相,100-240 VAC,50/60 Hz
功耗:230V@0.3A
直流充电输入:1000V(max)
触发输入:5V CMOS
远程通信:RS-232
功耗:230V@0.3A
直流充电输入:1000V(max)
触发输入:5V CMOS
远程通信:RS-232
正脉冲指标
输出峰值电压:300 V
输出脉冲宽度:1.5 us ~ 500 us
输出脉冲延迟:1.5 us ~ 500 us(基于负脉冲结束)
输出脉冲宽度:1.5 us ~ 500 us
输出脉冲延迟:1.5 us ~ 500 us(基于负脉冲结束)
主要应用领域
硬图层
得到更加致密、光滑的复合涂层,可以增加图层的硬度、减少表面的摩擦以及增加抗腐蚀性
光学涂层
通过改善涂层的致密结构和光滑性,大幅度地提高其光学特性
扩散势垒(扩散屏障)
通过增加涂层的密度以及均匀性改善扩散屏障的效果
电子涂层
既增加器件的导电性,同时又能降低涂层的厚度和热效应;还能保证电气的高压隔离
3D涂层
在复杂形状的基材上实现均匀的薄膜