成功的基材偏置的关键是使用一个能够承受HiPIMS放电产生的高离子通量的偏置单元，从而保持所需的偏置电压。使用我们的HiPSTER偏置解决方案的优势在于在HiPIMS脉冲期间将基材偏置与金属离子丰富的部分同步。这通常通过稍微延迟脉冲偏置来实现，以抑制惰性气体离子轰击，优先考虑主要的金属离子。脉冲偏置信号必须使用我们的HiPSTER同步单元与HiPIMS脉冲同步。
高功率脉冲磁控溅射偏置电压
Ionautics Hipster偏压的特点
- 脉冲偏置操作可实现对离子加速到基材的完全控制
- 可以简单与一个或多个HiPIMS放电同步，并在整个脉冲过程中保持偏置电压
- 宽范围的偏置电压范围还允许在沉积前对基材进行等离子体刻蚀
- 将金属离子与气体离子诱导的效应分离的可能性使得可以在低温下生长具有较大晶粒尺寸、强优选取向、高硬度和低应力的单相亚稳合金
Ionautics Hipster偏压的主要应用
- 硬涂层（Hard Coating）:通过反应物沉积形成更光滑、更致密的化合物涂层；以达到增加表面硬度、更耐腐蚀、降低摩擦等作用
- 光学涂层（Optical Coating）：改善光学性能；如：更平滑的表面、更致密的结构
- 扩散屏障（Diffusion barriers）：HiPIMS形成的更高涂层密度，确保更有效的屏障效果
- 电气涂层（Electrical Coating）：改善导电性，以至可以降低涂层厚度和减少热负荷；当然，也可以改善绝缘性能
- 3-D涂层（3-D Coating）：在复杂形状的表面形成均匀的薄膜涂层